【导语】近日，存储芯片龙头长鑫科技正式递交招股书拟冲刺科创板，募资295亿元巩固行业地位。作为全球DRAM产能第四大厂商，其近三年营收复合增长率达72%，已实现全世代产品迭代，多项产品性能跻身国际(jì)前(qián)列(liè)，专(zhuān)利(lì)数(shù)量(liàng)居(jū)全球(qiú)前(qián)列(liè)，募(mù)资(zī)将(jiāng)用(yòng)于(yú)技(jì)术(shù)升(shēng)级(jí)与(yǔ)产(chǎn)能(néng)优(yōu)化(huà)，推(tuī)动(dòng)中(zhōng)国半导体产业升级。
近日，中国存储芯片领军企业长鑫科技集团股份有限公司（以下简称：长鑫科技）正式向上海证券交易所递交招股书，拟登陆科创板，开启资本市场新征程。据了解，长鑫科技此次IPO募资295亿元，将进一步巩固其行业竞争力。
长鑫科技成立于2016年，采用IDM（垂直整合制造）业务模式，专注于动态随机存取存储器（DRAM）领域。根据Omdia数据，按产能和出货量统计，长鑫科技在DRAM厂商中位居全球第四。
财务数据方面，招股书披露，2025年1~9月公司营收达320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元；2022年至2024年主营业务收入复合增长率达到72.04%，展现出强劲的增长势头。
产品布局上，长鑫科技构建了覆盖DDR、LPDDR两大主流系列的多元化产品矩阵，已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全世代产品迭代，广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等核心市场。其中，2019年推出的8Gb DDR4产品实现中国DRAM产业"从零到一"的突破；LPDDR5X产(chǎn)品(pǐn)最高速率达10667Mbps，较上一代提升66%；首款国产DDR5产品速率达8000Mbps、单颗最大容量24Gb，同步布局全场景七大模组，性能跻身国际领先水平。
研发投入上，2022年至2025年上半年，公司累计研发投入达188.67亿元，占累计营业收入的33.11%。截至2025年6月30日，公司累计拥有5589项专利，其中境内专利3116项、境外专利2473项，2023年国际专利申请公开数量全球排名第22位，2024年美国专利授权排名全球第42位（中国企业中第四）。
此次募资将重点用于DRAM业务的技术升级与产能优化，助力公司在全球DRAM市场竞争中进一步扩大优势，推动中国半导体产业高质量发展。
