【导(dǎo)语(yǔ)】近(jìn)期(qī)，存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)市(shì)场(chǎng)掀(xiān)起(qǐ)新(xīn)一(yī)轮(lún)涨(zhǎng)价(jià)潮(cháo)，多(duō)家(jiā)国(guó)内(nèi)外(wài)头(tóu)部(bù)企(qǐ)业(yè)纷(fēn)纷(fēn)宣(xuān)布(bù)提(tí)价(jià)。这(zhè)一(yī)轮(lún)价(jià)格(gé)上(shàng)涨(zhǎng)速(sù)度(dù)和(hé)幅(fú)度(dù)超(chāo)出(chū)业(yè)内(nèi)预(yù)期(qī)，引(yǐn)发(fā)市(shì)场(chǎng)广(guǎng)泛(fàn)关注(zhù)。专(zhuān)家(jiā)指(zhǐ)出(chū)，涨(zhǎng)价(jià)潮(cháo)背(bèi)后(hòu)是(shì)供(gōng)需(xū)两(liǎng)端(duān)的(de)双(shuāng)重(zhòng)激(jī)励(lì)，供(gōng)给(gěi)端(duān)减(jiǎn)产(chǎn)与(yǔ)需(xū)求(qiú)端(duān)新(xīn)兴(xìng)需求崛起共同推动了市场复苏与价格上涨。在此背景下，中国存储企业迎来了发展新机遇，有望在市场份额拓展、技术创新和产业生态建设等方面取得突破，提升全球竞争力。
近期，存储芯片市场迎来了新一轮的涨价潮，多家存储头部企业纷纷宣布提高部分产品报价。国内存储企业也紧跟步伐，纷纷上调提货价格。在1个月之前，业界还普遍预估存储芯片价格有望在今年6月份或7月份启动上涨，如今上涨提前到来，存储市场是否进入了复苏期？
各大厂商集体提价底气来源于源自供需两端的双重激励
2025年5月初，三星与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致，并表示半导体行业整体DRAM价格都在上涨，这也是三星近一年来首次上调DRAM价格，具体比例因客户而异，但平均上调率已确定，DDR4将上调20%，DDR5上调约5%；闪迪宣布自4月1日起所有产品提价超过10%；美光不仅表示将针对新订单提高价格，平均涨幅约11%，还在3月25日发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%；SK海力士也表示，其DDR5和eMMC存储芯片现货价格预计将上涨12%左右。
国内存储企业也紧跟步伐，纷纷上调提货价格。长江存储旗下零售品牌致态宣布将于4月起上调提货价格，涨幅可能超过10%。这一(yī)轮(lún)价格上涨的速度和幅度均超出了业内原先的预期。在1个月之前，业界还普遍预估存储芯片价格有望在今年6月份或7月份启动上涨，如今上涨提前到来，存储市场是否进入了复苏期？
专家表示，这一轮涨价潮的主要原因在于存储芯片市场供需两端发生了明显变化。供给端的减产策略与需求端的新兴需求崛起，共同推动了市场的复苏与价格的上涨。
目前，各大企业减产策略成效显著。2025年年初，由于智能手机和笔记本电脑等核心消费性电子产品出货量持续低迷，供应商对2025年上半年需求看法并不乐观，为避免进一步削弱利润率，美光、铠侠、闪迪、三星和SK 海力士等NAND Flash大厂纷纷启动减产计划。主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的。
以美光为例，其在2024财年净亏损达50.66亿美元，为了应对这一困境，美光从2024年9月开始削减NAND Flash闪存产量，并计划将减产幅度扩大至30%。三星也在2024年11月宣布减产，目标是将NAND Flash芯片产量减少15%~20%。这些减产行动使得市场上NAND Flash的供应量得到有效控制，为产品价格反弹铺垫了基础。随着价格触底、市场开始补库存，模组厂和OEM厂开始加大采购，Enterprise SSD回温更带动高端Wafer产品需求。集邦的最新调研数据显示，预计2025年第二季度，NAND Flash价格将比第一季度上涨不超过0%~5%；3D NAND Wafers（多层垂直堆叠闪存晶圆）价格将环比上涨10%~15%；Client SSD（消费级固态硬盘）价格将环比上涨3%~8%。
此外，AI应用的“火力全开”成为驱动存储芯片市场需求快速提升的关键因素。随着AI技术在各领域的深入应用，对存储芯片的需求呈现出爆发式增长。特别是在AI服务器领域，需求增长尤为显著。2024年第二季度全球服务器市场收入达到了454.22亿美元，与去年同期相比增长了35%，AI服务器在整体服务器市场中的占比也持续攀升，现已接近30%。
AI服务器是智算中心提供AI计算能力的核心硬件，专为满足AI计算任务的高性能需求而设计。AI大模型需要用海量的数据进行训练、推理等，对数据进行深度挖掘后，再推送给通用数据中心，数据规模、数据调配工序将呈现爆发式增长，数据中心内部流量传输将更加密集，因此，对存储产品的需求也越来越高。
是(shì)德(dé)科(kē)技(jì)大(dà)中(zhōng)华(huá)区(qū)高(gāo)速数字市场部经理李坚表(biǎo)示(shì)：“原(yuán)来(lái)的(de)人(rén)工(gōng)智(zhì)能(néng)做(zuò)到(dào)是(shì)小(xiǎo)算(suàn)力(lì)、小(xiǎo)模(mó)型(xíng)，后(hòu)来(lái)变(biàn)成(chéng)了(le)中(zhōng)算(suàn)力(lì)、中(zhōng)模(mó)型(xíng)，而(ér)今(jīn)天(tiān)行(xíng)业(yè)内(nèi)做(zuò)的(de)是(shì)真(zhēn)正(zhèng)的(de)大(dà)模(mó)型(xíng)、大(dà)算(suàn)力(lì)，大(dà)算(suàn)力(lì)的(de)一(yī)个(gè)非(fēi)常(cháng)基(jī)础(chǔ)的(de)要(yào)求(qiú)就(jiù)是(shì)大(dà)带(dài)宽(kuān)、大(dà)量(liàng)的(de)数(shù)据(jù)交(jiāo)换(huàn)。存(cún)储(chǔ)方(fāng)面(miàn)，数(shù)据(jù)中(zhōng)心(xīn)一(yī)般(bān)使(shǐ)用(yòng)的(de)DDR4、DDR5系(xì)列(liè)产(chǎn)品(pǐn)，速(sù)率(lǜ)在(zài)8.4GT/s。我(wǒ)们(men)预(yù)计(jì)未(wèi)来(lái)会(huì)上(shàng)升(shēng)到(dào)DDR6或(huò)DDR7。此(cǐ)外(wài)，我们很可能会使用HBM3、HBM3E或HBM4。和今天的DDR产品相比，会有一个数量级的提升。”
不仅如此，AI在智能手机、个人电脑、智能穿戴等领域的加速渗透，也进一步推动了对更高容量和更高性能存储芯片的需求。目前AI手机的DRAM配置已提升至16GB，AI个人电脑设备的内存容量也普遍已经达到32GB。此外，智能汽车有望引入开源大模型，也将进一步提升存储需求，这些都成为了存储市场复苏的关键推动力。
存储市场周期性与结构性变化交织
回顾过去几年，存储市场历经从下行周期到复苏的复杂历程。自2021年第三季度起，存储市场遭受重创，DRAM价格下跌57%，NAND价格同期下跌55%。这一时期，存储芯片产业陷入长达近两年的下行周期。市场下行主要源于供应商生产过剩，以及市场需求衰退，使得存储芯片市场供需失衡严重。加上全球经济环境的不确定性、消费电子市场的饱和，进一步冲击终端设备销量。2022年，全球智能手机出货量为12.1亿部，同比下降11.3%；全球PC出货量为2.92亿台，同比下降28.5%，创下自2009年以来的最大年度跌幅。
为扭转局面，各大存储芯片厂商纷纷减产。铠侠及美光率先在2022年第四季度启动减产，三星于2023年第二季度跟进。截至2023年9月，三星削减NAND产量，减产幅度提升到50%，减产领域集中在128层以下制程；SK海力士下半年再减少NAND Flash产量5%~10%；铠侠减少产能50%；美光NAND Flash产能减少30%。
从2023年下半年开始，市场出现积极变化。减产效应逐渐显现，终端需求也逐步回暖，存储芯片市场开始走出下行周期。从2023年10月到截止到2023年年底，现货市场NAND Flash价格指数涨幅达40%。以三星、西部数据以及金士顿为代表的固态硬盘产品，价格显著回升，回升幅度普遍在100元至130元之间。需求端数据同样向好，2023年10月23日至11月3日期间，整体PC市场销量同比上升1.4%，平板市场销量同比增长13.5%，手机市场销量同比增长10.2%%。
进入2024年，全球AI浪潮兴起，成为推动存储需求爆发的关键因素，叠加终端需求持续回暖，存储芯片市场加速复苏，行业景气度攀升，价格上涨幅度扩大。2024年第一季度，存储销售额同比增长86%。DRAM芯片合约价格上涨多达20%，NAND Flash上涨多达23%~28%。到2024年第二季度，DRAM合约价季涨幅上修至13%~18%，NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15%~20%，延续强劲势头。行业头部企业业绩大幅增长，三星2024年第一季度营业利润激增931%；SK海力士2024年第一季度盈利超150亿元人民币，而去年同期该公司还亏损136亿元。
但到了2024年下半年，存储芯片市场又发生了动荡，从价格走势来看，在上半年普遍上涨之后，下半年市场走向急转直下，出现了明显的价格回落。自2024年第三季度起，存储价格逐季下滑，进入第四季度，这种跌势愈发明显，以消费类存储产品为例，价格下跌幅度高达30%，企业级存储产品价格也出现10%~20%的下(xià)滑。三星、美光、SK海力士、西部数据等企业继续使用减产策略应对，使得DRAM和NAND市场价格连续下跌，尤其是成熟制程的DDR4和LPDDR4X产品，价格压力极为突出。但HBM乘着GPU的东风狂涨500%，市场份额不断扩大，LPDDR5x、DDR5等新一代存储芯片的应用也在一定程度上缓冲了整体市场的下行压力。
而长江存储、长鑫存储等国内厂商，凭借本土供应链(liàn)响(xiǎng)应(yīng)优(yōu)势(shì)以(yǐ)及(jí)在(zài)部(bù)分(fēn)技(jì)术(shù)领(lǐng)域的(de)突(tū)破(pò)，在(zài)国(guó)内(nèi)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)逐(zhú)步(bù)提(tí)升(shēng)，同(tóng)时(shí)积极拓展海外市场，通过差异化竞争策略，在全球存储芯片市场中分得一杯羹。
再到2025年，存储市场逐渐进入复苏期，专家认为，5年期间，存储市场既有传统周期性波动因素作用，又受到AI等新兴需求的影响，虽短期内市场波动复杂难辨，但长期来看，存储市场可能不会完全遵循过往典型的周期性规律，而是进入(rù)周(zhōu)期(qī)性(xìng)与(yǔ)结(jié)构(gòu)性(xìng)变(biàn)化(huà)交(jiāo)织(zhī)的(de)新(xīn)阶(jiē)段(duàn)，周(zhōu)期(qī)性(xìng)特(tè)征(zhēng)或(huò)有(yǒu)所(suǒ)弱(ruò)化(huà)或(huò)变(biàn)形(xíng)。
中(zhōng)国(guó)存(cún)储(chǔ)企(qǐ)业(yè)迎来了发展新机遇
在存储芯片市场新一轮涨价潮以及行业格局变动的大背景下，中国存储企业迎来了诸多发展机遇，有望在市场份额拓展、技术创新和产业生态建设等方面实现突破，提升在全球存储芯片市场中的竞争力。
市场份额拓展层面，国际存储巨头因减产推高价格，为中国企业打开了价格竞争空间。长江存储凭借Xtacking技术，将存储单元与控制电路分离制造，通过混合键合技术解决信号干扰与散热难题，在提升芯片读写速度的同时，将生产成本降低约30%，这种“高性能+高性价比”组合使其在消费级SSD市场快速渗透，2024年全球NAND Flash市场份额从6%提升至9%。长鑫存储则聚焦DRAM领域，其17nm DDR4产品已通过三星、联想等头部客户认证，2024年DRAM出货量同比增长55%，在全球市场份额突破5%。此外，国内厂商依托本土供应链响应优势，在华为、小米等终端品牌的本土化配(pèi)套(tào)需(xū)求(qiú)中(zhōng)占(zhàn)据(jù)先(xiān)机(jī)，华(huá)为(wèi)2024年(nián)发(fā)布(bù)的(de)Mate70系(xì)列(liè)手(shǒu)机(jī)中(zhōng)，长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)的(de)UFS 3.1芯(xīn)片(piàn)搭(dā)载(zài)比(bǐ)例(lì)达(dá)60%，较(jiào)2023年(nián)提(tí)升(shēng)40%。
技(jì)术(shù)创新领域，兆易创新在Serial NOR Flash市场持续领跑，2024年通过近存计算技术研发，将芯片延迟降低至5ns以下，其车规级产品已进入比亚迪、蔚来等车企的供应链。佰维存储则在先进封测领域发力，投资12亿元建设的12英寸晶圆级封测产线投产，可实现HBM3E级别的256层芯片堆叠，2024年研发投入占比达18%，推动其AI服务器存储解决方(fāng)案(àn)收(shōu)入(rù)同比增长210%。
存储芯片市场的新一轮涨价潮，既是市场供需关系调整的结果，也是行业技术发展和应用拓展的体现，为存储企业带来了拓展市场份额、推动技术创新和完善产业生态的新机遇，同时也促使企业加大研发投入，提升技术创新能力，加强与产业链上下游企业的合作，共同应对市场的不确定性。
